近年平面1x nm NAND，TLC和3D V-NAND等在内的闪存技术迅速发展，外置高速接口USB 3.x已相当普及，而Type-C的出现让设备供应商愿意在他们的设备上配备这种新型通用接口（包括在移动设备和台式机上）。 这些进步使得一种体积小巧、价格合适且高性能的存储设备的出现成为了可能，以满足日复一日的数据传输需求。
介绍：
大容量存储盘有很多选择，但外形尺寸限制了性能。因此，三星和闪迪等供应商推出了单USB线供电的掌上型存储设备。在CES 2015上，三星发布了移动固态硬盘，基于T1的市场成功，三星在CES 2016上带来了移动固态硬盘SSD T3，并带来四个主要改进：
1.最大容量从1TB提高到2TB
2.从MicroUSB改用USB 3.1 Type C接口
3.兼容Android平台，并且自带AES-256加密功能
4.具有部分金属外壳，相比T1散热效果更好
T3预计将在2月底开卖，但三星已为媒体提供了评测样品。
T1基于850 EVO（相同的32层TLC V-NAND，具有完整的MEX / MGX主控，结合ASMedia ASM1153E SATA to USB 3.0桥耦合）， 然而T3有所不同，其2TB版并非基于三星850 EVO和850 PRO，后两者的2TB版都使用8颗16-die封装（唯一的区别是在EVO中的是TLC V-NAND， Pro中的是MLC V-NAND），但在T3的体积大小放入8颗闪存封装似乎是一个大的延展，在我们拆解之前，先来看看由CrystalDiskInfo提供的信息。
虽然CrystalDiskInfo报告将TRIM作为特性，但快速TRIMCheck程序指出TRIM可用性是不确定的，三星几乎不对TRIM有任何支持，而S.M.A.R.T信息在大多数常用工具中也是不可见的。在USB 3.0端，驱动器支持UASP（USB连接的SCSI协议），应该为顺序传输提供更高的性能。对于顺序访问，标称传输速率为450MBps，带有硬件加速的AES-256加密。在本节的其余部分，我们将看一下内部硬件，然后是一些使用建议（特别是从Android设备的DAS单元的角度）。
内部硬件
相比T1，T3更容易拆卸，当然普通用户并不关心这一点，但它揭示了一些有趣的信息。拆解过程包括剥离两个贴纸，取出四个螺丝，我们的拆卸过程中的各种图片（包括过热保护）可在下面的图库中找到。最后的图片展示了ASMedia 1153E SATA to USB 3.0桥接芯片（也用在T1上），以及ASM1542 10Gbps信号无源开关（用于启用Type-C接口）。更有趣的组件是控制器和闪存包， 虽然控制器（S4LN062X01）似乎是120-500GB 850 EVO驱动器中使用的标准MGX控制器，但系统中只有4颗闪存。
容量有2TB，很明显我们看到这是迄今为止，三星尚未在任何其它已有可用的存储设备中使用过这样的闪存。
闪存编码为K9DUGB8S7M，由于单颗闪存有500GB的容量，有三种可能性：
1.32层TLC V-NAND，但每个封装为32 Die，而不是850 EVO SATA SSD中使用的16 Die
2.32层TLC V-NAND，每个封装为16 Die，Die Size为256Gb，而不是850 EVO SATA SSD中使用的128Gb的Die Size
3.48层TLC V-NAND，每个封装16 Die，256Gb的Die Size
三星没有公布这一信息，我们有根据的猜测是（3）看起来是最可能的选择。 第一个线索是定价，2TB的价格为850美元（0.425美元/GB），它不是最便宜的SSD，每GB的成本高于T1（以0.60美元/ GB的价格发布，现在已经下降到0.34美元/ GB左右）。这使我们怀疑这是最新一代TLC V-NAND，像T3这样的外部设备将允许三星首先使用低容量，高利润的部分闪存，然后逐渐升级为消费SSD。与内部SSD的要求相比，对性能和耐用性的关注也较少。三星还在去年8月FMS上谈到了256 Gb 48层TLC V-NAND批量生产，而T3中的闪存封装很可能基于此。更新：三星确认在移动固态硬盘 T3中使用的NAND确实是48层256Gb TLC V-NAND。
