现在正处于三星品牌存储5周年之际，在2016年，三星品牌存储能带给我们怎样的惊喜呢？
产业升级，西安半导体工厂增添“芯”动力
2015年，三星电子西安半导体工厂完成了封装测试生产线竣工投运，封装测试生产线竣工量产，此举标志着三星电子半导体生产领域全业态产业链在国内正式形成。三星存储产品从材料，颗粒、芯片、封装全部在这里完成，在品质上让用户更加放心。正是凭借着超前的科技、完美的工艺、严谨的品质保障体系，三星存储一直引领着行业发展。
据了解，去年1-8月份，三星电子西安半导体工厂已累计实现产值115.09亿元，突破百亿元大关，形成了存储信息产业的规模化、高端化和差异化特色，改变了全国存储信息产业的格局，有力推进西部地区和陕西西安的产业结构调整和转型升级，而且使中国成为继美国、韩国之后的又一个全球半导体产业基地。
技术升级，V—NAND技术领先业界
随着用户需求的不断提升，对存储产品的容量、性能都有了更高的要求。为此，三星存储创新推出了V—NAND技术，为固态硬盘带来全新的性能体验。“ 三星电子推出全新V—NAND技术，旨在推动固态硬盘领域的技术革新，并以其卓越的耐用性、高性能和高能效，引领高容量固态硬盘市场的发展。” 三星电子存储事业部品牌存储事业群金严洙专务指出：“我们将致力于为客户提供尖端V—NAND高性能固态硬盘，助力创新性计算环境的建立。”
三星的V—NAND闪存采用垂直单元结构，不仅突破了具有平面架构的传统闪存在容量上的局限性，更能大幅提高产品的读写速度、耐用性和能效。
该技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。这样的设计，我们可以通俗的理解成，在单位空间内，晶体管的容量是以立体形式堆叠出现的，就好比在一块土地上盖房子，如果是采用平房结构，那么就会降低土地的利用率，要是采用楼房的形式，就会大大提升单位面积的利用率。
