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三星移动固态硬盘T3评测

发表时间:2017-04-07 来源:AnandTech 作者: AnandTech 责任编辑: kiwi

 

 

  近年平面1x nm NAND,TLC和3D V-NAND等在内的闪存技术迅速发展,外置高速接口USB 3.x已相当普及,而Type-C的出现让设备供应商愿意在他们的设备上配备这种新型通用接口(包括在移动设备和台式机上)。 这些进步使得一种体积小巧、价格合适且高性能的存储设备的出现成为了可能,以满足日复一日的数据传输需求。

 

  介绍:

 

  大容量存储盘有很多选择,但外形尺寸限制了性能。因此,三星和闪迪等供应商推出了单USB线供电的掌上型存储设备。在CES 2015上,三星发布了移动固态硬盘,基于T1的市场成功,三星在CES 2016上带来了移动固态硬盘SSD T3,并带来四个主要改进:

 

  1.最大容量从1TB提高到2TB

  2.从MicroUSB改用USB 3.1 Type C接口

  3.兼容Android平台,并且自带AES-256加密功能

  4.具有部分金属外壳,相比T1散热效果更好

 

  T3预计将在2月底开卖,但三星已为媒体提供了评测样品。

 

  T1基于850 EVO(相同的32层TLC V-NAND,具有完整的MEX / MGX主控,结合ASMedia ASM1153E SATA to USB 3.0桥耦合), 然而T3有所不同,其2TB版并非基于三星850 EVO和850 PRO,后两者的2TB版都使用8颗16-die封装(唯一的区别是在EVO中的是TLC V-NAND, Pro中的是MLC V-NAND),但在T3的体积大小放入8颗闪存封装似乎是一个大的延展,在我们拆解之前,先来看看由CrystalDiskInfo提供的信息。

 

 

  虽然CrystalDiskInfo报告将TRIM作为特性,但快速TRIMCheck程序指出TRIM可用性是不确定的,三星几乎不对TRIM有任何支持,而S.M.A.R.T信息在大多数常用工具中也是不可见的。在USB 3.0端,驱动器支持UASP(USB连接的SCSI协议),应该为顺序传输提供更高的性能。对于顺序访问,标称传输速率为450MBps,带有硬件加速的AES-256加密。在本节的其余部分,我们将看一下内部硬件,然后是一些使用建议(特别是从Android设备的DAS单元的角度)。

 

  内部硬件

 

  相比T1,T3更容易拆卸,当然普通用户并不关心这一点,但它揭示了一些有趣的信息。拆解过程包括剥离两个贴纸,取出四个螺丝,我们的拆卸过程中的各种图片(包括过热保护)可在下面的图库中找到。最后的图片展示了ASMedia 1153E SATA to USB 3.0桥接芯片(也用在T1上),以及ASM1542 10Gbps信号无源开关(用于启用Type-C接口)。更有趣的组件是控制器和闪存包, 虽然控制器(S4LN062X01)似乎是120-500GB 850 EVO驱动器中使用的标准MGX控制器,但系统中只有4颗闪存。

 

 

  容量有2TB,很明显我们看到这是迄今为止,三星尚未在任何其它已有可用的存储设备中使用过这样的闪存。

 

 

  闪存编码为K9DUGB8S7M,由于单颗闪存有500GB的容量,有三种可能性:

 

  1.32层TLC V-NAND,但每个封装为32 Die,而不是850 EVO SATA SSD中使用的16 Die

  2.32层TLC V-NAND,每个封装为16 Die,Die Size为256Gb,而不是850 EVO SATA SSD中使用的128Gb的Die Size

  3.48层TLC V-NAND,每个封装16 Die,256Gb的Die Size

 

  三星没有公布这一信息,我们有根据的猜测是(3)看起来是最可能的选择。 第一个线索是定价,2TB的价格为850美元(0.425美元/GB),它不是最便宜的SSD,每GB的成本高于T1(以0.60美元/ GB的价格发布,现在已经下降到0.34美元/ GB左右)。这使我们怀疑这是最新一代TLC V-NAND,像T3这样的外部设备将允许三星首先使用低容量,高利润的部分闪存,然后逐渐升级为消费SSD。与内部SSD的要求相比,对性能和耐用性的关注也较少。三星还在去年8月FMS上谈到了256 Gb 48层TLC V-NAND批量生产,而T3中的闪存封装很可能基于此。更新:三星确认在移动固态硬盘 T3中使用的NAND确实是48层256Gb TLC V-NAND。

 


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