1）在非开口式CMOS中，在每个像素位置，需要占用一定的面积来用作处理电路，因此开口率达不到几乎100%的CCD。在背照式传感器中，像素背面的整个面积都可以用来做光敏二极管接受光线（所以叫“背照式”），因此开口率也和CCD传感器一样接近100%了。而CMOS传感器独有的信号处理电路放在像素正面的单独一层。也就是说，原来器件是一层，感光和信号处理都要占面积；背照式变成两层。一层感光，一层处理信号。
2）在非开口式的CMOS中，由于上述感光和信号处理都要占面积，因此为了提高开口率，尽量增加感光面积，所以信号处理单元就做得极其简化，以尽量减少信号处理电路的面积。有些甚至就只用一个三极管来做放大器。由于半导体工艺的特性，每个放大电路的一致性会比较差，因此形成固定模式噪声（FPN）。在背照式的情况下，每个像素的信号处理电路相对不受面积制约，因此可以做成比较复杂的放大器，比如负反馈放大器。这样，各像素间的一致性会大大改善。从而大大降低固定模式噪声。
3）新进发布的三星NX1是第一部使用背照式cmos传感器的大底（APSC）相机。从国外的初步报道来看，2800万象素的画质基本上和三星自己原来的2000万象素差不多。当然，还要等详细的评测看看比较。
宾得在开发645D的过程中，并非不想用CMOS。下面是宾得产品规划部的主管Yasuyuki Maekawa在回答采访的时候说的原话：
“Well, we recognize the value of live view as a tool. We would have loved to make it available in the 645D, but the Kodak CCD sensor that we have selected, just like all the other MF sensors available today for that matter, do not currently enable Live view. We hope that possible future CMOS based MF sensors would be able to lift this limitation.”
再上几张图来补充一下，不是上照片，而是几张K20D发布前后的技术演示资料。先上两张，是Pentax在K20D发布时候我拿到的一份资料里面的两张幻灯片，第一张是说明K10D的噪声从何而来，第二张是说他们从什么地方入手在K20D提高信噪比。
这是第一张。
这是第二张。
谢谢欣赏
