佳能在CP+2015前隆重推出自家高像素机型EOS 5DS/EOS 5DS R，其自主研发生产的CMOS传感器有效像素高达约5060万有效像素，总像素更是达到约5300万，这一指标一举打破尼康/索尼的3600万有效像素的记录。
EOS 5DS/EOS 5DS R给佳能带来前所未有的超高解析力（目前135全幅中最高像素）
EOS 5DS/EOS 5DS R的约5060万有效像素传感器
对此小编在《火力全开 佳能全线反攻打响》中猜测佳能是以EOS 70D、EOS 7D Mark II的传感器工艺作为基础，扩大到全画幅上进行生产。事实上对于这种猜测绝非YY，CMOS传感器的生产工艺其实跟很多半导体产品一样，如CPU、GPU、闪存颗粒等等，都是现在小尺寸上试验新技术新工艺，等成熟后就将其逐步应用到更大尺寸（或更高性能）的产品上。
Chipworks的佳能、尼康、索尼三家传感器工艺对比
Chipworks曾在2012年公布佳能、尼康（瑞萨）、索尼等几家传感器的工艺，详细内容可以参考《Chipworks公布尼康单反图像传感器型号》，该报告提到尼康D800搭载的索尼IMX094传感器采用0.18微米制程技术生产，像素尺寸达到4.75微米。是当时Chipworks公司分析测试的全画幅数码单反相机中有最小的像素尺寸。而当时佳能的EOS-1DX、EOS 5D MarkIII等全画幅产品还在采用0.5微米工艺（500纳米），索尼和瑞萨（尼康D3、D4、D700等）已经逐步从0.35纳米过度到0.25纳米。为此很多网友以此来喷佳能工艺落后索尼很多了。
那么传感器的工艺到底有多重要？我们知道现在CPU、GPU的工艺发展相当快了，大佬Intel更是将工艺飙到14nm！对CPU、GPU有了解的同学都知道，半导体工艺提升，可以用更小的面积实现更复杂的架构设计，同时还能降低功耗（发热），提升频率（超频更容易），性能提升。所谓多少纳米技术，可以理解为在芯片上刻画的精细程度。然而在CMOS图像传感器上，其精细程度远没到CPU那么极端，所以我们看到即便是索尼，在制造CMOS影像传感器（尤其大尺寸）其工艺也挺“落后”的，可以说“用不上”那么精细的工艺。但大家要清楚现在用不上不代表未来不用，随着传感器像素越来越高，以及内置相位检测点，传感器结构越来越复杂，工艺上其实也需要一定提升，只不过不是那么快那么新潮，比如D800的高像素传感器的工艺还是比D3X先进一些。
